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著者 (5件)：
資料名：
巻： 39 号： 6A ページ： 3290-3293 発行年： 2000年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902100629573824
整理番号：00A0651178
有機金属気相エピタクシーによってGaP(001)上に成長させた自己集合InAs島状構造におよぼすGaPキャップ層成長の効果
Effects of GaP Cap Layer Growth on Self-Assembled InAs Islands Grown on GaP (001) by Organometallic Vapor Phase Epitaxy.
FUCHI S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
NONOGAKI Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MORIYA H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
FUJIWARA Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEDA Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 6A ページ： 3290-3293 発行年： 2000年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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