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著者 (8件)：
資料名：
巻： 17 号： 7 ページ： 655-661 発行年： 2002年07月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902100989798738
整理番号：02A0634518
歪んだSi/SiGeによって構成されるnチャンネルMOSFET 素子の性能に対するクロスハッチングの効果
Strained Si/SiGe n-channel MOSFETs: Impact of cross-hatching on device performance.
OLSEN S H
(Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR)
,
O’NEILL A G
(Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR)
,
NORRIS D J
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
CULLIS A G
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
WOODS N J
(Imperial Coll. Sci., Technol. and Medicine, London, GBR)
,
ZHANG J
(Imperial Coll. Sci., Technol. and Medicine, London, GBR)
,
FOBELETS K
(Imperial Coll. Sci., Technol. and Medicine, London, GBR)
,
KEMHADJIAN H A
(Univ. Southampton, Southampton, GBR)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 17 号： 7 ページ： 655-661 発行年： 2002年07月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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