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著者 (6件)：
資料名：
巻： 68 号： 25 ページ： 3585-3587 発行年： 1996年06月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902101116151033
整理番号：96A0624870
絶縁体基板上シリコンの異方性エッチングによって作製したSi量子細線金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける室温Coulombブロッケード振動
Coulomb blockade oscillations at room temperature in a Si quantum wire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor fabricated by anisotropic etching on a silicon-on-insulator substrate.
ISHIKURO H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
FUJII T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SARAYA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HASHIGUCHI G
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HIRAMOTO T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IKOMA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 25 ページ： 3585-3587 発行年： 1996年06月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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