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資料名：
巻： 36 号： 1/3 ページ： 246-250 発行年： 1996年01月
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902101622963836
整理番号：96A0299577
窒素ドープシリコンウエハの破壊強度
The fracture strength of nitrogen doped silicon wafers.
VEDDE J
(Topsil Semiconductor Materials, Frederikssund, DNK)
,
GRAVESEN P
(Danfoss, Nordborg, DNK)
資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： 36 号： 1/3 ページ： 246-250 発行年： 1996年01月
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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