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著者 (4件)：
資料名：
巻： 37 号： 3A ページ： L294-L296 発行年： 1998年03月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902101947108193
整理番号：98A0419905
RFプラズマ促進化学蒸着法による酸化インジウムすず/ガラス基板上のGaNの成長
Growth of GaN on Indium Tin Oxide/Glass Substrates by RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Method.
PARK D-C
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KO H-C
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FUJITA SHIZ
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FUJITA SHIG
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37 号： 3A ページ： L294-L296 発行年： 1998年03月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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