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著者 (3件)：
資料名：
巻： 65 号： 4 ページ： 412-414 発行年： 1994年07月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902101997659352
整理番号：94A0716398
シリコンの急速熱処理による酸化膜成長速度のオゾンによる促進
Growth rate enhancement using ozone during rapid thermal oxidation of silicon.
KAZOR A
(Univ. Coll. London, London, GBR)
,
GWILLIAM R
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
,
BOYD I W
(Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 65 号： 4 ページ： 412-414 発行年： 1994年07月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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