文献
J-GLOBAL ID:200902102143421162
整理番号:97A0730370
W/WNx/Si系における超薄WSiN障壁層の形成機構
Formation mechanism of ultrathin WSiN barrier layer in a W/WNx/Si system.
著者 (6件):
NAKAJIMA K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
AKASAKA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MIYANO K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKAHASHI M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUEHIRO S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUGURO K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
117/118
ページ:
312-316
発行年:
1997年06月
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)