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著者 (2件)：
資料名：
巻： 35 号： 7 ページ： 3876-3877 発行年： 1996年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902102429818175
整理番号：96A0721346
Czochralski法で成長させたシリコンウエハ上の薄い熱酸化膜の厚さの縦光学振動モードによる決定
Determination of Thickness of Thin Thermal Oxide Layers on Czochralski-Grown Silicon Wafers from their Longitudinal Optical Vibrational Mode.
SHIRAI H
(Toshiba Ceramics Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
TAKEDA R
(Toshiba Ceramics Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 7 ページ： 3876-3877 発行年： 1996年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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