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文献
J-GLOBAL ID:200902102538468508   整理番号:03A0079037

昇圧HVPEによる高品質GaN成長

High Quality GaN Grown by Raised-Pressure HVPE.
著者 (7件):
BOHYAMA S
(Mie Univ., Mie, JPN)
YOSHIKAWA K
(Mie Univ., Mie, JPN)
NAOI H
(Mie Univ., Mie, JPN)
MIYAKE H
(Mie Univ., Mie, JPN)
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Mie, JPN)
IYECHIKA Y
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
MAEDA T
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)

巻: 194  号:ページ: 528-531  発行年: 2002年12月16日 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 0031-8965  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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