文献
J-GLOBAL ID:200902102538468508
整理番号:03A0079037
昇圧HVPEによる高品質GaN成長
High Quality GaN Grown by Raised-Pressure HVPE.
著者 (7件):
BOHYAMA S
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
YOSHIKAWA K
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
NAOI H
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
MIYAKE H
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
IYECHIKA Y
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
MAEDA T
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
194
号:
2
ページ:
528-531
発行年:
2002年12月16日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)