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著者 (6件)：
資料名：
巻： 402/404 号： 1/3 ページ： 623-627 発行年： 1998年05月15日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902102838641457
整理番号：98A0728671
低速イオン散乱分光法によるGa濃縮GaP(001)(2×4)表面構造の研究
Ga-rich GaP(001)(2×4) surface structure studied by low-energy ion scattering spectroscopy.
NAITOH M
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
KONISHI A
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
INENAGA H
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
NISHIGAKI S
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
OISHI N
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
SHOJI F
(Kyushu Kyoritsu Univ., Kitakyushu, JPN)
資料名：
Surface Science
(Surface Science)
巻： 402/404 号： 1/3 ページ： 623-627 発行年： 1998年05月15日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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