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著者 (5件)：
資料名：
巻： 39 号： 2A ページ： 669-674 発行年： 2000年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902102847579217
整理番号：00A0283131
深紫外線リソグラフィーのための化学増幅を用いた表面をシリル化した単一層レジスト I 気相からのSi化合物の限定された浸透
A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep-Ultraviolet Lithography. I. Limited Permeation of Si Compounds from Vapor Phase.
SUGITA K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
IKAGAWA M
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
HARADA K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
KUSHIDA M
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
SAITO K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 2A ページ： 669-674 発行年： 2000年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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