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著者 (2件)：
資料名：
巻： 145 号： 8 ページ： 2847-2853 発行年： 1998年08月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902103040281318
整理番号：98A0782728
Si(OC2H5)4とO3を用いる大気圧化学蒸着で析出させた酸化けい素膜の成長特性に及ぼす基板の影響
Effects of Substrate on the Growth Characteristics of Silicon Oxide Films Deposited by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition Using Si(OC2H5)4 and O3.
YOSHIMARU M
(Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
YOSHIE T
(Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 145 号： 8 ページ： 2847-2853 発行年： 1998年08月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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