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著者 (6件)：
資料名：
巻： 11 号： 10 ページ： 1205-1207 発行年： 1999年10月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902103316649799
整理番号：99A0976908
InGaAs-GaAs量子ドットの,しきい値電流8mAでの1.3μm CW室温レーザ発振
1.3-μm CW Lasing of InGaAs-GaAs Quantum Dots at Room Temperature with a Threshold Current of 8 mA.
MUKAI K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
NAKATA Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
OTSUBO K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SUGAWARA M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
YOKOYAMA N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 11 号： 10 ページ： 1205-1207 発行年： 1999年10月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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