文献
J-GLOBAL ID:200902103383141520
整理番号:98A0247969
フラーレンを混入したナノ複合レジストを用いたドライエッチングによる高アスペクト比のナノメータパターンの作製
High-Aspect-Ratio Nanometer-Pattern Fabrication Using Fullerene-Incorporated Nanocomposite Resists for Dry-Etching Application.
著者 (4件):
SHIBATA T
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
ISHII T
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
NOZAWA H
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
,
TAMAMURA T
(NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
36
号:
12B
ページ:
7642-7645
発行年:
1997年12月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)