文献
J-GLOBAL ID:200902103735506868
整理番号:98A0349004
原子間力顕微鏡を用いた室温におけるナノ結晶シリコン中の単一電子帯電効果の観察
Observation of the single electron charging effect in nanocrystalline silicon at room temperature using atomic force microscopy.
著者 (3件):
OTOBE M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
YAJIMA H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ODA S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
72
号:
9
ページ:
1089-1091
発行年:
1998年03月02日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)