文献
J-GLOBAL ID:200902104088791225
整理番号:00A0746974
Naフラックスを使うことによる窒化物結晶,BN,AlN及びGaNの成長
Growth of nitride crystals, BN, AlN and GaN by using a Na flux.
著者 (6件):
YANO M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OKAMOTO M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAP Y K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YOSHIMURA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MORI Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SASAKI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻:
9
号:
3/6
ページ:
512-515
発行年:
2000年04月
JST資料番号:
W0498A
ISSN:
0925-9635
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)