文献
J-GLOBAL ID:200902104528757830
整理番号:99A0276974
フルオロカーボンの誘導結合プラズマ中でのSi3N4に対するSiO2とSiに対するSiO2の選択エッチング機構の比較
Study of the SiO2-to-Si3N4 etch selectivity mechanism in inductively coupled fluorocarbon plasmas and a comparison with the SiO2-to-Si mechanism.
著者 (6件):
SCHAEPKENS M
(State Univ. New York, New York)
,
STANDAERT T E F M
(State Univ. New York, New York)
,
RUEGER N R
(State Univ. New York, New York)
,
SEBEL P G M
(State Univ. New York, New York)
,
OEHRLEIN G S
(State Univ. New York, New York)
,
COOK J M
(Lam Res. Corp., California)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
17
号:
1
ページ:
26-37
発行年:
1999年01月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)