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資料名：
巻： 68 号： 23 ページ： 3257-3259 発行年： 1996年06月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902104680607429
整理番号：96A0555497
自己律速機構による窒化シリコンの原子層制御蒸着
Atomic layer controlled deposition of silicon nitride with self-limiting mechanism.
GOTO H
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
SHIBAHARA K
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
YOKOYAMA S
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 23 ページ： 3257-3259 発行年： 1996年06月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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