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著者 (5件)：
資料名：
巻： 78 号： 6 ページ： 4112-4117 発行年： 1995年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902105126334778
整理番号：95A0907712
超高真空電子サイクロトロン共鳴化学蒸着によるシリコンの低温ホモエピタクシーへのプロセスパラメータの効果
Effects of process parameters on low-temperature silicon homoepitaxy by ultrahigh-vacuum electron-cyclotron-resonance chemical-vapor deposition.
TAE H-S
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
HWANG S-H
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK S-J
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YOON E
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
WHANG K-W
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 78 号： 6 ページ： 4112-4117 発行年： 1995年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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