文献
J-GLOBAL ID:200902105247388824
整理番号:01A0207448
量子収量実験によるシリコン中の熱い正孔散乱率の検証
Verification of hot hole scattering rates in silicon by quantum-yield experiment.
著者 (4件):
KAMAKURA Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KAWASHIMA I
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
DEGUCHI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TANIGUCHI K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
88
号:
10
ページ:
5802-5809
発行年:
2000年11月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)