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文献
J-GLOBAL ID:200902105747955059   整理番号:97A0742866

高イオン密度のArとSF6プラズマに曝したAlGaAsとInGaPの損傷研究

Damage investigation in AlGaAs and InGaP exposed to high ion density Ar and SF6 plasmas.
著者 (7件):
LEE J W
(Univ. Florida, Florida)
LEE K N
(Univ. Florida, Florida)
STRADTMANN R R
(Univ. Florida, Florida)
ABERNATHY C R
(Univ. Florida, Florida)
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
HOBSON W S
(Bell Lab., New Jersey)
REN F
(Bell Lab., New Jersey)

資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)

巻: 15  号: 3 Pt 1  ページ: 890-893  発行年: 1997年05月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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