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資料名：
巻： 67 号： 10 ページ： 1429-1431 発行年： 1995年09月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902106722751676
整理番号：95A0818814
低圧有機金属化学蒸着においてアルミニウム原料としてトリメチルアミンアランを用いて成長させたGaN-AlGaNヘテロ構造中の2次元電子ガス
Two-dimensional electron gas in GaN-AlGaN heterostructures deposited using trimethylamine-alane as the aluminum source in low pressure metalorganic chemical vapor deposition.
KHAN M A
(APA Optics, Inc., Minnesota)
,
CHEN Q
(APA Optics, Inc., Minnesota)
,
SUN C J
(APA Optics, Inc., Minnesota)
,
SHUR M
(Univ. Virginia, Virginia)
,
GELMONT B
(Univ. Virginia, Virginia)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 10 ページ： 1429-1431 発行年： 1995年09月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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