文献
J-GLOBAL ID:200902106813486240
整理番号:01A0117385
ゲート誘電体用のランタンとイットリウムをベースにした酸化物薄膜の原子ビーム堆積
Atomic beam deposition of lanthanum- and yttrium-based oxide thin films for gate dielectrics.
著者 (5件):
GUHA S
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
CARTIER E
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
GRIBELYUK M A
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
BOJARCZUK N A
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
,
COPEL M C
(IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
77
号:
17
ページ:
2710-2712
発行年:
2000年10月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)