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著者 (6件)：
資料名：
巻： 189/190 ページ： 138-141 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902107132942367
整理番号：98A0793833
GaN量子ディスクを製造するためのRF分子線エピタキシー法による(0001)Al2O3上のGaN/Al0.18Ga0.82N多層ナノカラムの自己組織化
Self-organization of GaN/Al0.18Ga0.82N multi-layer nano-columns on (0001) Al2O3 by RF molecular beam epitaxy for fabricating GaN quantum disks.
YOSHIZAWA M
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KIKUCHI A
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
FUJITA N
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KUSHI K
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
SASAMOTO H
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KISHINO K
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190 ページ： 138-141 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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