文献
J-GLOBAL ID:200902107132942367
整理番号:98A0793833
GaN量子ディスクを製造するためのRF分子線エピタキシー法による(0001)Al2O3上のGaN/Al0.18Ga0.82N多層ナノカラムの自己組織化
Self-organization of GaN/Al0.18Ga0.82N multi-layer nano-columns on (0001) Al2O3 by RF molecular beam epitaxy for fabricating GaN quantum disks.
著者 (6件):
YOSHIZAWA M
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KIKUCHI A
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
FUJITA N
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KUSHI K
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
SASAMOTO H
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KISHINO K
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
189/190
ページ:
138-141
発行年:
1998年06月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)