文献
J-GLOBAL ID:200902107227185784
整理番号:93A0835326
高キャリア移動度のポリチエニレンビニレン系薄膜トランジスタ
Polythienylenevinylene thin-film transistor with high carrier mobility.
著者 (3件):
FUCHIGAMI H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TSUMURA A
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KOEZUKA H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
10
ページ:
1372-1374
発行年:
1993年09月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)