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資料名：
巻： 438 号： 1/3 ページ： 116-122 発行年： 1999年09月10日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902107332208056
整理番号：99A0975866
Si(001)の清浄面と酸素吸着面におけるCoSi2の固相エピタキシャル成長
Solid-phase epitaxial growth of CoSi2 on clean and exygen-adsorbed Si(001) surfaces.
HAYASHI Y
(Nagoya Municipal Industrial Res. Inst., Nagoya, JPN)
,
YOSHINAGA M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
IKEDA H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YASUDA Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Surface Science
(Surface Science)
巻： 438 号： 1/3 ページ： 116-122 発行年： 1999年09月10日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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