文献
J-GLOBAL ID:200902107620299708
整理番号:95A0605368
1ギガビットDRAM用0.29μm2 MIM-CROWNセルとプロセス技術
A 0.29-μm2 MIM-CROWN Cell and Process Technologies for 1-Gigabit DRAMs.
著者 (9件):
KAGA T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SUDOH Y
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KISU T
(Hitachi VLSI Engineering Corp., Tokyo, JPN)
,
YAMASHITA H
(Hitachi VLSI Engineering Corp., Tokyo, JPN)
,
NAGAI R
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
IIJIMA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
OHKURA M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
ISODA M
(Hitachi VLSI Engineering Corp., Tokyo, JPN)
,
TAKEDA E
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1994
ページ:
927-929
発行年:
1994年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)