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著者 (5件)：
資料名：
巻： 189/190 ページ： 551-555 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902107741074770
整理番号：98A0793916
転位密度の低いGaN基板によるGaN系LD構造のpn接合特性の高精度制御
Precise control of pn-junction profiles for GaN-based LD structures using GaN substrates with low dislocation densities.
KURODA N
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
SASAOKA C
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
KIMURA A
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
USUI A
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
MOCHIZUKI Y
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190 ページ： 551-555 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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