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著者 (9件)：
資料名：
巻： 72 号： 2 ページ： 211-213 発行年： 1998年01月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902107902966766
整理番号：98A0198261
横方向にエピタキシャルに上層を成長させたGaN基板上に成長させた変調ドープ歪層を持つInGaN/GaN/AlGaN構造のレーザダイオード
InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes with modulation-doped strained-layer superlattices grown on an epitaxially laterally overgrown GaN substrate.
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
,
SENOH M
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
,
NAGAHAMA S
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
,
IWASA N
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
,
YAMADA T
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
,
MATSUSHITA T
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
,
KIYOKU H
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
,
SUGIMOTO Y
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
,
CHOCHO K
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 72 号： 2 ページ： 211-213 発行年： 1998年01月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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