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著者 (4件)：
資料名：
巻： 28 号： 7 ページ： 873-877 発行年： 1999年07月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902107956011222
整理番号：99A0794098
有機金属気相エピタクシーにより(001)GaAs上に形成されたGaNの構造の研究
Structural Study of GaN Grown on (001) GaAs by Organometallic Vapor Phase Epitaxy.
BAE I-T
(Kwangju Inst. Sci. and Technol.(K-JIST), Kwangju, KOR)
,
SEONG T-Y
(Kwangju Inst. Sci. and Technol.(K-JIST), Kwangju, KOR)
,
PARK Y J
(Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
,
KIM E K
(Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 28 号： 7 ページ： 873-877 発行年： 1999年07月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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