文献
J-GLOBAL ID:200902108214750322
整理番号:00A0572789
HTSCデバイスにおけるクエンチの発達についての普遍的スケーリング則
Universal scaling law for quench development in HTSC devices.
著者 (5件):
RAKHMANOV A L
(SCAPE, Russian Acad. Sci., Moscow, RUS)
,
VYSOTSKY V S
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
ILYIN Y A
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
KISS T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
TAKEO M
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名:
Cryogenics
(Cryogenics)
巻:
40
号:
1
ページ:
19-27
発行年:
2000年01月
JST資料番号:
D0115B
ISSN:
0011-2275
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)