文献
J-GLOBAL ID:200902108372596799
整理番号:02A0737249
傾斜SiGeバッファ層を用いてSi基板上に作製したインタディジタルGe pin光検出器
Interdigitated Ge p-i-n Photodetectors Fabricated on a Si Substrate Using Graded SiGe Buffer Layers.
著者 (8件):
OH J
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
CAMPBELL J C
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
THOMAS S G
(Motorola, AZ, USA)
,
BHARATAN S
(Motorola, AZ, USA)
,
THOMA R
(Motorola, AZ, USA)
,
JASPER C
(Motorola, AZ, USA)
,
JONES R E
(Motorola, TX, USA)
,
ZIRKLE T E
(Motorola, AZ, USA)
資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻:
38
号:
9
ページ:
1238-1241
発行年:
2002年09月
JST資料番号:
H0432A
ISSN:
0018-9197
CODEN:
IEJQA7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)