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著者 (6件)：
資料名：
巻： 39 号： 11B ページ： L1183-L1185 発行年： 2000年11月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902108636094533
整理番号：01A0078761
1μmの厚みを越えるSi(111)上の亀裂のないGaNの有機金属化学気相エピタクシー
Metalorganic Chemical Vapor Phase Epitaxy of Crack-Free GaN on Si (111) Exceeding 1 μm in Thickness.
DADGAR A
(Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
BLAESING J
(Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
DIEZ A
(Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
ALAM A
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
,
HEUKEN M
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
,
KROST A
(Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 11B ページ： L1183-L1185 発行年： 2000年11月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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