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著者 (9件)：
資料名：
巻： 143 号： 1 ページ： 244-251 発行年： 1996年01月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902108663590011
整理番号：96A0192579
SIMOXウエハの最表面シリコンの上部及び底部界面における高温熱酸化過程
Investigations on High-Temperature Thermal Oxidation Process at Top and Bottom Interfaces of Top Silicon of SIMOX Wafers.
NAKASHIMA S
(NTT Electronics Technol. Corp., Atsugi, JPN)
,
KATAYAMA T
(Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN)
,
MIYAMURA Y
(Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN)
,
MATSUZAKI A
(Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN)
,
KATAOKA M
(Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN)
,
EBI D
(Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN)
,
IMAI M
(Komatsu Electronic Metals Co. Ltd., Hiratsuka, JPN)
,
IZUMI K
(NTT LSI Lab., Atsugi, JPN)
,
OHWADA N
(NTT Electronics Technol. Corp., Atsugi, JPN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 143 号： 1 ページ： 244-251 発行年： 1996年01月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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