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文献
J-GLOBAL ID:200902108896516580   整理番号:98A0041498

傾斜禁止帯幅Cu(InGa)Se2ベースの薄膜ミニモジュールで最適化した大面積ZnO膜

Large area ZnO films optimized for graded band-gap Cu(InGa)Se2-based thin-film mini-modules.
著者 (9件):
COORAY N F
(New Energy and Industrial Technol. Dev. Organization(NEDO), Tokyo, JPN)
KUSHIYA K
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
FUJIMAKI A
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
SUGIYAMA I
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
MIURA T
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
OKUMURA D
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
SATO M
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
OOSHITA M
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
YAMASE O
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)

資料名:
Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)

巻: 49  号: 1/4  ページ: 291-297  発行年: 1997年12月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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