文献
J-GLOBAL ID:200902108896516580
整理番号:98A0041498
傾斜禁止帯幅Cu(InGa)Se2ベースの薄膜ミニモジュールで最適化した大面積ZnO膜
Large area ZnO films optimized for graded band-gap Cu(InGa)Se2-based thin-film mini-modules.
著者 (9件):
COORAY N F
(New Energy and Industrial Technol. Dev. Organization(NEDO), Tokyo, JPN)
,
KUSHIYA K
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
,
FUJIMAKI A
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
,
SUGIYAMA I
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
,
MIURA T
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
,
OKUMURA D
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
,
SATO M
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
,
OOSHITA M
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
,
YAMASE O
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, JPN)
資料名:
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻:
49
号:
1/4
ページ:
291-297
発行年:
1997年12月
JST資料番号:
D0513C
ISSN:
0927-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)