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資料名：
巻： 90 号： 5 ページ： 2606-2611 発行年： 2001年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902108998181299
整理番号：01A0912596
選択領域有機金属気相エピタクシーで成長させたGaAsのドット-線結合構造とその単一電子デバイスへの応用
GaAs dot-wire coupled structures grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy and their application to single electron devices.
NAKAJIMA F
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
OGASAWARA Y
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
MOTOHISA J
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
FUKUI T
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 90 号： 5 ページ： 2606-2611 発行年： 2001年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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