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資料名：
巻： 41 号： 7A ページ： 4432-4435 発行年： 2002年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902109102280150
整理番号：02A0642849
高κ誘電体の金属酸化物半導体電界効果トランジスタにおけるゲート誘起のドレインリーク電流
Gate-Induced Drain Leakage Currents in Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors with High-κ Dielectric.
CHANG S-I
(Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR)
,
LEE J
(Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
,
SHIN H
(Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 7A ページ： 4432-4435 発行年： 2002年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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