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著者 (4件)：
資料名：
巻： 28 号： 12 ページ： 1137-1140 発行年： 1994年12月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902109241908180
整理番号：95A0173107
GaInAsSbをベースにした発光ダイオード(LED)ヘテロ構造における熱過程
Thermal processes in GaInAsSb-based light-emitting-diode(LED) heterostructures.
KOLCHANOVA N M
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
,
POPOV A A
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
,
SUKACH G A
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
,
BOGOSLOVSKAYA A B
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 28 号： 12 ページ： 1137-1140 発行年： 1994年12月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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