文献
J-GLOBAL ID:200902109284335230
整理番号:98A0329791
マグネトロン同時スパタリングで作製した非晶質SiC:H膜の性質へのガリウムドーピングの効果
Effects of gallium doping on the properties of amorphous-SiC:H films prepared by magnetron cosputtering.
著者 (4件):
SAITO N
(Takamatsu National Coll. Technol., Takamatsu, JPN)
,
INUI Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
YAMAGUCHI T
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
NAKAAKI I
(Shizuoka Prefectural Fuji Industrial Res. Inst., Fuji, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
83
号:
4
ページ:
2067-2071
発行年:
1998年02月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)