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著者 (9件)：
資料名：
巻： 18 号： 5 ページ： 17-27 発行年： 2002年09月
JST資料番号： A0660B ISSN： 8755-3996 CODEN： ICSYDV 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902109472177595
整理番号：02A0825969
明日のメモリ
Memories of Tomorrow.
REOHR W
(IBM T.J. Watson Res. Center in Yorktown Heights, New York)
,
HOENIGSCHMID H
(Infineon Technol. in Hopewell Junction, New York)
,
ROBERTAZZI R
(IBM T.J. Watson Res. Center in Yorktown Heights, New York)
,
GOGL D
(Infineon Technol. in Hopewell Junction, New York)
,
PESAVENTO F
(IBM T.J. Watson Res. Center in Yorktown Heights, New York)
,
LAMMERS S
(Infineon Technol. in Hopewell Junction, New York)
,
LEWIS K
(IBM T.J. Watson Res. Center in Yorktown Heights, New York)
,
SCHEUERLEIN R
(IBM Almaden Res. Center in San Jose, California)
,
MUELLER G
(Infineon Technol. in Hopewell Junction, New York)
資料名：
IEEE Circuits & Devices Magazine
(IEEE Circuits & Devices Magazine)
巻： 18 号： 5 ページ： 17-27 発行年： 2002年09月
JST資料番号： A0660B ISSN： 8755-3996 CODEN： ICSYDV 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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