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著者 (4件)：
資料名：
巻： 66 号： 26 ページ： 3663-3665 発行年： 1995年06月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902109901712690
整理番号：95A0722365
有機金属化学蒸着によるGaAs多原子ステップへの自己整列InGaAs量子ドットのその場作製
In situ fabrication of self-aligned InGaAs quantum dots on GaAs multiatomic steps by metalorganic chemical vapor deposition.
KITAMURA M
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIOKA M
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OSHINOWO J
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ARAKAWA Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 66 号： 26 ページ： 3663-3665 発行年： 1995年06月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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