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著者 (7件)：
資料名：
巻： 2000 ページ： 92-93 発行年： 2000年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902110238214671
整理番号：00A0897557
0.10μmゲート長CMOS世代のための超薄ゲート酸化膜中への窒素取込によるNBTI増大
NBTI enhancement by nitrogen incorporation into ultrathin gate oxide for 0.10-μm gate CMOS generation.
KIMIZUKA N
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMAGUCHI K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
IMAI K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
IIZUKA T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
LIU C T
(Bell Lab., NJ)
,
KELLER R C
(Bell Lab., NJ)
,
HORIUCHI T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2000 ページ： 92-93 発行年： 2000年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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