文献
J-GLOBAL ID:200902110545393737
整理番号:03A0119157
多結晶Si太陽電池用ウェハの正孔密度の温度依存性のインゴット中における場所依存
Dependence of Temperature-Dependent Hole Concentration on Position of p-type Wafer within Polycrystalline Si Ingot for Solar Cells.
著者 (3件):
石田卓也
(大阪電通大)
,
黒田知宏
(大阪電通大)
,
松浦秀治
(大阪電通大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
102
号:
540(SDM2002 211-226)
ページ:
1-6
発行年:
2002年12月20日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)