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資料名：
巻： 82 号： 11 ページ： 5843-5858 発行年： 1997年12月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902110693643610
整理番号：98A0108234
新規な変調ドープAlN/GaN絶縁ゲートヘテロ構造電界効果トランジスタと電荷制御の一次元シミュレーション
Novel AlN/GaN insulated gate heterostructure field effect transistor with modulation doping and one-dimensional simulation of charge control.
IMANAGA S
(Sony Corp. Res. Center, Yokohama-shi, JPN)
,
KAWAI H
(Sony Corp. Res. Center, Yokohama-shi, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 82 号： 11 ページ： 5843-5858 発行年： 1997年12月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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