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資料名：
巻： 83 号： 11, Pt.1 ページ： 6148-6160 発行年： 1998年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902111452801718
整理番号：98A0660140
単結晶GaN上に作製した金属-半導体-金属紫外光検出器の総合特性評価
Comprehensive characterization of metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors fabricated on single-crystal GaN.
CARRANO J C
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
LI T
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
GRUDOWSKI P A
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
EITING C J
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
DUPUIS R D
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
CAMPBELL J C
(Univ. Texas at Austin, Texas)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 83 号： 11, Pt.1 ページ： 6148-6160 発行年： 1998年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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