文献
J-GLOBAL ID:200902111479171732
整理番号:97A0013155
鉄をドープしたシリコン結晶における有効キャリア寿命のキャリア注入量依存性
Dependence of effective carrier lifetime in iron-doped silicon crystals on the carrier injection level.
著者 (1件):
WATANABE K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
11
号:
11
ページ:
1713-1717
発行年:
1996年11月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)