文献
J-GLOBAL ID:200902111732924912
整理番号:99A1023323
プラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させたAlGaN/GaNヘテロ構造の分極誘起電荷及び電子移動度
Polarization-induced charge and electron mobility in AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy.
著者 (9件):
SMORCHKOVA I P
(Univ. California, California)
,
ELSASS C R
(Univ. California, California)
,
IBBETSON J P
(Univ. California, California)
,
VETURY R
(Univ. California, California)
,
HEYING B
(Univ. California, California)
,
FINI P
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
,
SPECK J S
(Univ. California, California)
,
MISHRA U K
(Univ. California, California)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
86
号:
8
ページ:
4520-4526
発行年:
1999年10月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)