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著者 (9件)：
資料名：
巻： 35 号： 2B ページ： 1311-1319 発行年： 1996年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902112026593365
整理番号：96A0443798
InAs-GaAs量子ピラミッドレーザ その場成長,放射寿命及び偏光特性
InAs-GaAs Quantum Pyramid Lasers: In Situ Growth, Radiative Lifetimes and Polarization Properties.
BIMBERG D
(TU Berlin, Berlin, DEU)
,
LEDENTSOV N N
(TU Berlin, Berlin, DEU)
,
GRUNDMANN M
(TU Berlin, Berlin, DEU)
,
KIRSTAEDTER N
(TU Berlin, Berlin, DEU)
,
SCHMIDT O G
(TU Berlin, Berlin, DEU)
,
MAO M H
(TU Berlin, Berlin, DEU)
,
USTINOV V M
(A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
,
EGOROV A YU
(A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
,
HEYDENREICH J
(Max-Plank-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 2B ページ： 1311-1319 発行年： 1996年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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