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著者 (4件)：
資料名：
巻： 33 号： 12A ページ： 6448-6453 発行年： 1994年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902112461505559
整理番号：95A0125268
立方晶GaN/(100)GaAsと六方晶GaN/(111)GaAs基板上におけるGaN層の水素化物気相エピタクシーの比較
Comparison of Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN Layers on Cubic GaN/(100)GaAs and Hexagonal GaN/(111)GaAs Substrates.
TSUCHIYA H
(Univ. Tsukuba, Ibaraki)
,
HASEGAWA F
(Univ. Tsukuba, Ibaraki)
,
OKUMURA H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
,
YOSHIDA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 33 号： 12A ページ： 6448-6453 発行年： 1994年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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