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著者 (6件)：
資料名：
巻： 38 号： 3B ページ： L292-L294 発行年： 1999年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902112712719618
整理番号：99A0441992
外部電極によるSiウエハの表面再結合の制御
Control of Surface Recombination of Si Wafers by an External Electrode.
ICHIMURA M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
HIRANO M
(Gokiso, Nagoya, JPN)
,
KATO N
(Gokiso, Nagoya, JPN)
,
ARAI E
(Gokiso, Nagoya, JPN)
,
TAKAMATSU H
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
SUMIE S
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 3B ページ： L292-L294 発行年： 1999年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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